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新聞資訊

MOS管MOSFET科普介紹:工作原理、應用和驅動電路
MOS管MOSFET科普介紹:工作原理、應用和驅動電路
發布時間:2024-04-07
MOS管,即MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一種常見的半導體器件,主要用于電路中的開關和放大等功能。以下是關于MOSFET的介紹:工作原理MOSFET中的MOS代表金屬氧化物半導體。MOSFET的工作原理是利用柵極與基極之間的電場控制通道的電阻值,從而實現放大或開關控制。三個極MOSFET的三個極分別是源極、柵極和漏極。源極和漏極之間的通道受柵極控制,柵極與源極之間的電壓改變通道電阻,從而改變源極和漏極之間的電 ...123
晶振為什么并沒有封裝到IC芯片中?
晶振為什么并沒有封裝到IC芯片中?
發布時間:2024-04-07
有一些電子設備需要高度穩定的交流信號,而LC振蕩器的穩定性較差,頻率容易漂移,導致交流信號頻率變化。采用石英晶體可以在振蕩器中產生高度穩定的信號,這種振蕩器稱為晶振。電子元器件的小型化趨勢促進了社會的發展,因此有人想將晶振電路封裝到IC芯片內部,但由于實際原因,晶振并沒有內置到IC芯片中。原因包括:芯片制造封裝工藝、實用性和成本考慮;芯片和晶振材料不同,封裝在一起成本高;外部晶振更易更換頻率。芯片內部有PLL,但成本和頻率需求可能不匹配。"片內時鐘"可能實際上是RC振蕩電路。 ...123
半導體高級封裝技術:技術快速演進成為行業支柱
半導體高級封裝技術:技術快速演進成為行業支柱
發布時間:2024-04-07
高級封裝技術將在未來半導體領域扮演重要角色。在未來五年內,一個系統中芯片數量將從4-10增加到10-30(增長3倍),預計十年后這一數字將進一步增加;在內存方面,新的內存架構將改善內存墻問題,望解決內存容量、速度和功耗成為系統瓶頸的情況;在互聯方面,未來十年高級封裝的互聯線數量將從1000-2000增加至8000,同時采用新的IO接口技術(如PAM8和高密度WDM光學互聯)以提升數據帶寬并降低數據移動成本。這些需求對應了高級封裝技術的技術發展,MAPT在高級封裝章節提出了未來十年的技術方向。未來 ...123
基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統
基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統
發布時間:2024-03-31
基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統本發明公開了一種基于視覺檢測的半導體器件表面除塵方法及其系統,該方法包括:采集半導體器件的實時圖像,將實時圖像與預設基準圖像匹配對比,從而得到半導體器件表面上灰塵異物的位置信息以及灰塵異物圖像;根據灰塵異物圖像的面積大小拾取對應規格的除塵棒,并根據灰塵異物的位置信息,驅動除塵棒與灰塵異物進行接觸并粘除。采用圖像識別方式,快速識別半導體器件表面的灰塵異物,根據實時獲取的灰塵異物圖像選擇最匹配的除塵棒接觸并粘除,這樣可以做到快速地完成除塵工作,同時除塵棒消 ...123
半導體器件焊線三維檢測方法及其系統
半導體器件焊線三維檢測方法及其系統
發布時間:2024-03-31
半導體器件焊線三維檢測方法及其系統本發明公開了一種半導體器件焊線三維檢測方法及其系統,獲取待測半導體器件的三維點云模型圖像,并通過ICP算法匹配查詢焊線區域在半導體器件上的定位信息;根據定位信息在半導體器件上設置多個識別區域,根據三維點云模型圖像中焊線區域關系獲取每一個識別區域的焊線三維數據;根據識別區域的焊線三維數據與焊線的預設三維模型比對,計算焊線三維模型與預設三維模型的歐氏距離;根據歐氏距離與預設閾值的比較結果,得到焊線的缺陷檢測結果。由于僅需要CCD攝像頭對整個半導體器件進行光柵條紋圖像 ...123
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